誘電体は光学コーティング装置ArのN2 O2 PVDのマグネトロンの放出させる沈殿を撮影する
適用
適用 | 特定の目的 | 物質的なタイプ |
半導体 | ICのフィルムをワイヤーで縛るLSIの電極 | AI、Al SiのAl Si CU、CU、Au、Pt、Pd、Ag |
VLSIの記憶電極 | Mo、Wのチタニウム | |
拡散障壁のフィルム | MoSix、Wsix、TaSix、TiSx、W、MoのWチタニウム | |
付着力フィルム | PZT (PbZrO2-チタニウム)、チタニウム、W | |
表示 | 透明な伝導性のフィルム | ITO (In2O;- SnO2) |
電極の配線のフィルム | Mo、WのCr、Taのチタニウム、Al、AlTi、AITa | |
エレクトロルミネセンスのフィルム |
ZnS Mn、ZnS TbのCaS EU、Y2O3、Ta2O5、 BaTiO3 |
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磁気記録 | 縦の磁気記録のフィルム | CoCr |
ハード ディスクのためのフィルム | CoCrTa、CoCrPt、CoCrTaPt | |
薄膜の磁気ヘッド | CoTaZr、CoCrZr | |
人工的な水晶フィルム | CoPt、CoPd | |
光学録音 | 相変化ディスク録音フィルム | TeSe、SbSe、TeGeSb、等 |
磁気ディスク録音フィルム |
TbFeCo、DyFeCo、TbGdFeCo、 TbDyFeCo |
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光ディスクの反射フィルム | AI、AITi、AlCrのAu、Auの合金 | |
光ディスクの保護フィルム | Si3N4、SiO2+ZnS | |
ペロプスカイトの薄膜電池 | 透明な行なう層 | ZnO:Al |
治療 | Biocompatible材料 | Al2O3、TiO2 |
装飾的なコーティング | カラー フィルム、金属で処理されたフィルム | Al2O3、TiO2、およびいろいろな種類の金属のフィルム |
反変色のコーティング | 貴金属のanti-oxidationのコーティング | Al2O3、TiO2 |
光学フィルム | ハイ・ローr.i. | SiO2、TiO2、Ta2O5のZrOの₂、HfO2 |
他の適用 | 耐光性のフィルム | Cr、AlSi、AlTi、等 |
抵抗フィルム | NiCrSi、CrSi、MoTa、等 | |
超伝導のフィルム | YbaCuO、BiSrCaCuo | |
磁気フィルム | Fe、Co、NI、FeMn、FeNi、等 |
特徴
モデル | MSC700-750-700 |
コーティングのタイプ | メタル・フィルム、金属酸化物およびAINのようなさまざまな誘電性のフィルム |
コーティングの温度較差 | 500℃への正常な温度(カスタマイズ可能な) |
コーティングの真空槽のサイズ | 700mm*750mm*700mm (カスタマイズ可能) |
背景の真空 | <5>-7mbar |
コーティング厚さ | ≥10nm |
厚み制御の精密 | ≤±3% |
最高のコーティングのサイズ | ≥100mm (カスタマイズ可能な) |
フィルム厚さの均等性 | ≤±0.5% |
基質のキャリア | 惑星の回転メカニズムを使って |
目標資料 | 4x4インチ(4インチと互換性があり、下の) |
電源 | およびバイアスが任意なら、DCの脈拍、RFのような電源 |
プロセス ガス | ArのN2、O2 |
注:利用できるカスタマイズされた生産。 |
プロセス ステップ
→は真空槽にコーティングのための基質を置く;
→は大体vacuumize;
→は分子ポンプで回ったり、全速力でvacuumize、そして回転および回転で回る;
温度がターゲットに達するまで真空槽を熱する→;
→は一定した温度調整を実行する;
→は要素をきれいにする;
→は起源に戻って回転し、;
プロセス条件に従う→のコーティングのフィルム;
→は低温を、コーティングの後でポンプ アセンブリを停止する;
→は自動操作が終了するとき働くことを止める。
コーティングのサンプル
働き主義
放出させるマグネトロンは一種の物理的な蒸気沈殿(PVD)である。それは螺線形の電子移動をする
従って磁気および電界間の相互作用によるターゲット表面の近くの道、増加
イオンを発生させるためにアルゴンのガスに当る電子の確率。発生させたイオンはそれからターゲット表面に当った
電界の行為の下および目標資料を基質の表面のdepositeの薄膜に放出させるため。
一般的な放出させる方法はさまざまな金属、強磁性半導体の準備に使用することができる
材料、また絶縁された酸化物、製陶術および他の物質。装置はPLC+の接触を使用する
プログラム可能なプロセス インターフェースによって変数を入れることができる機能のパネルHMIの制御システム
放出させ、multi-target順次に放出させ、そして共同放出させる単一ターゲットのような。
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