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Trimethylaluminum AL2O3 TiO2 ZnO ALD Atomic Layer Deposition Coating Machine

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機

  • ハイライト

    誘電性のフィルムAL2O3 TiO2 ZnOのaldのコータ

    ,

    誘電性のフィルムAL2O3 TiO2 ZnOの原子層の沈殿コータ

    ,

    誘電性のフィルムAL2O3 TiO2 ZnOのaldのコータ

  • 重量
    カスタマイズ可能な350±200KG
  • サイズ
    カスタマイズ可能な1900 mm*1200mm*2000mm
  • Customizable
    Available
  • 保証期間
    1年または場合次第で
  • 出荷の言葉
    海/空気/Multimodal輸送によって
  • コーティングのフィルム システム
    AL2O3、TiO2、ZnO、等
  • コーティングのサイズ
    200×200mmの²/400×400mmの²/1200×1200 mmの²、等
  • 前駆物質および搬送ガス
    Trimethylaluminumの、チタニウムの四塩化物、ジエチル亜鉛、純粋な水、窒素、等(Cの₃ Hの₉ Al、TiCl4、Cの₄ HZn、H2O、Nの₂、等)
  • 起源の場所
    中国、成都
  • ブランド名
    ZEIT
  • 証明
    Case by case
  • モデル番号
    ALD1200-500
  • 最小注文数量
    1セット
  • 価格
    Case by case
  • パッケージの詳細
    木製ケース
  • 受渡し時間
    ケースバイケース
  • 支払条件
    T/T
  • 供給の能力
    ケースバイケース

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機

ALDの原子層の沈殿

 

 

適用

 適用  特定の目的  ALD材料のタイプ
 MEMS装置  バリヤー層のエッチング  Al2O3
 保護層  Al2O3
 Anti-bonding層  TiO2
 疎水性層  Al2O3
 接着の層  Al2O3
 耐久力のある層  Al2O3、TiO2
 反短い回路の層  Al2O3
 充満消滅の層  ZnO:Al
 エレクトロルミネセンス表示  明るい層  ZnS:Mn/えー
 不動態化の層  Al2O3
 貯蔵材料  Ferroelectric材料  HfO2
 常磁材料 Gd2O3、えー2O3のDyの₂Oの₃、Ho2O3
 非磁気カップリング  Ru、Ir
 電極  貴金属
誘導結合(ICP)  高kゲートの誘電性の層  HfO2、TiO2、Ta2O5のZrOの₂
 結晶のケイ素の太陽電池  表面不動態化  Al2O3
 ペロプスカイトの薄膜電池  緩衝層  ZnxMnyO
 透明な行なう層  ZnO:Al
 3D包装  によケイ素Vias (TSVs)  CU、Ruの錫
 明るい適用  OLEDの不動態化の層  Al2O3
 センサー  不動態化の層、充填材  Al2O3、SiO2
 治療  Biocompatible材料  Al2O3、TiO2
 腐食防止の層  表面の腐食防止の層  Al2O3
 燃料電池  触媒  Pt、Pd、RH
 リチウム電池  電極の物質的な保護層  Al2O3
 ハード ディスクの読書きヘッド  不動態化の層  Al2O3
 装飾的なコーティング  カラー フィルム、金属で処理されたフィルム  Al2O3、TiO2
 反変色のコーティング  貴金属のanti-oxidationのコーティング  Al2O3、TiO2
 光学フィルム  ハイ・ローr.i.

 MgF2、SiO2、ZnS、TiO2、Ta2O5

 ZrO2、HfO2

 

働き主義

原子層の沈殿(ALD)はの基質の表面の物質を沈殿させる方法である

層単一の原子フィルムの層の形態。原子層の沈殿は共通の化学沈殿に類似している、

しかし原子層の沈殿の過程において、原子フィルムの新しい層の化学反応は直接ある

原子の1つの層だけ各反作用でこの方法により沈殿するように、前の層と関連付けられる。

 

特徴

     モデル      ALD1200-500
     コーティングのフィルム システム      AL2O3、TiO2、ZnO、等
     コーティングの温度較差      500℃への正常な温度(カスタマイズ可能な)
     コーティングの真空槽のサイズ     内部の直径:1200mmの高さ:500mm (カスタマイズ可能)
     真空槽の構造     顧客の要求に従って
     背景の真空     <5> -7mbar
     コーティング厚さ     ≥0.15nm
     厚み制御の精密     ±0.1nm
     コーティングのサイズ      200×200mmの²/400×400mmの²/1200×1200 mmの²、等
     フィルム厚さの均等性      ≤±0.5%
     前駆物質および搬送ガス

    Trimethylaluminum、チタニウムの四塩化物、ジエチル亜鉛、純粋な水、

窒素、等(Cの₃ Hの₉ Al、TiCl4、Cの₄ HZn、H2O、Nの₂、等)

注:利用できるカスタマイズされた生産。

 

コーティングのサンプル

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 0トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 1トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 2トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 3

 

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 4トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 5トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 6トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 7

 

プロセス ステップ
→は真空槽にコーティングのための基質を置く;
→ Vacuumize高低の温度の真空槽、および基質を同期的に回すため;
→は塗り始める:基質は前駆物質とそして同時反作用なしで順に連絡される;
→は各反作用の後で高純度窒素のガスとのそれを清浄にする;
フィルム厚さの後で基質を回す→停止は清浄になることの標準的なまで、操作である

冷却は完了したり、そして条件を壊す真空の後で基質を会う取る。

 

私達の利点

私達は製造業者である。

成長したプロセス。

24就業時間以内の応答。

 

私達のISOの証明

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 8

 

 

私達のパテントの部分

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 9トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 10

 

 

私達の賞の部分およびR & Dの資格

トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 11トリメチルアルミニウム AL2O3 TiO2 ZnO ALD 原子層堆積コーティング機 12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2018年に創設されるZEITのグループは精密光学、半導体材料およびハイテクな知性装置に焦点を合わせる会社である。中心およびスクリーンの精密、光学検出およびコーティング機械化の私達の利点に基づいてのZEITのグループはずっとカスタマイズされ、標準化されたプロダクト解決の完全なパッケージを私達の顧客に与えている。

 

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