ALDの原子層の沈殿
適用
| 適用 | 特定の目的 | ALD材料のタイプ |
| MEMS装置 | バリヤー層のエッチング | Al2O3 |
| 保護層 | Al2O3 | |
| Anti-bonding層 | TiO2 | |
| 疎水性層 | Al2O3 | |
| 接着の層 | Al2O3 | |
| 耐久力のある層 | Al2O3、TiO2 | |
| 反短い回路の層 | Al2O3 | |
| 充満消滅の層 | ZnO:Al | |
| エレクトロルミネセンス表示 | 明るい層 | ZnS:Mn/えー |
| 不動態化の層 | Al2O3 | |
| 貯蔵材料 | Ferroelectric材料 | HfO2 |
| 常磁材料 | Gd2O3、えー2O3のDyの₂Oの₃、Ho2O3 | |
| 非磁気カップリング | Ru、Ir | |
| 電極 | 貴金属 | |
| 誘導結合（ICP） | 高kゲートの誘電性の層 | HfO2、TiO2、Ta2O5のZrOの₂ |
| 結晶のケイ素の太陽電池 | 表面不動態化 | Al2O3 |
| ペロプスカイトの薄膜電池 | 緩衝層 | ZnxMnyO |
| 透明な行なう層 | ZnO:Al | |
| 3D包装 | によケイ素Vias （TSVs） | CU、Ruの錫 |
| 明るい適用 | OLEDの不動態化の層 | Al2O3 |
| センサー | 不動態化の層、充填材 | Al2O3、SiO2 |
| 治療 | Biocompatible材料 | Al2O3、TiO2 |
| 腐食防止の層 | 表面の腐食防止の層 | Al2O3 |
| 燃料電池 | 触媒 | Pt、Pd、RH |
| リチウム電池 | 電極の物質的な保護層 | Al2O3 |
| ハード ディスクの読書きヘッド | 不動態化の層 | Al2O3 |
| 装飾的なコーティング | カラー フィルム、金属で処理されたフィルム | Al2O3、TiO2 |
| 反変色のコーティング | 貴金属のanti-oxidationのコーティング | Al2O3、TiO2 |
| 光学フィルム | ハイ・ローr.i. |
MgF2、SiO2、ZnS、TiO2、Ta2O5、 ZrO2、HfO2 |
働き主義
原子層の沈殿（ALD）はの基質の表面の物質を沈殿させる方法である
層単一の原子フィルムの層の形態。原子層の沈殿は共通の化学沈殿に類似している、
しかし原子層の沈殿の過程において、原子フィルムの新しい層の化学反応は直接ある
原子の1つの層だけ各反作用でこの方法により沈殿するように、前の層と関連付けられる。
特徴
| モデル | ALD1200-500 |
| コーティングのフィルム システム | AL2O3、TiO2、ZnO、等 |
| コーティングの温度較差 | 500℃への正常な温度（カスタマイズ可能な） |
| コーティングの真空槽のサイズ | 内部の直径:1200mmの高さ:500mm （カスタマイズ可能） |
| 真空槽の構造 | 顧客の要求に従って |
| 背景の真空 | <5>-7mbar |
| コーティング厚さ | ≥0.15nm |
| 厚み制御の精密 | ±0.1nm |
| コーティングのサイズ | 200×200mmの²/400×400mmの²/1200×1200 mmの²、等 |
| フィルム厚さの均等性 | ≤±0.5% |
| 前駆物質および搬送ガス |
Trimethylaluminum、チタニウムの四塩化物、ジエチル亜鉛、純粋な水、 窒素、等（Cの₃ Hの₉ Al、TiCl4、Cの₄ HZn、H2O、Nの₂、等） |
| 注:利用できるカスタマイズされた生産。 | |
コーティングのサンプル
プロセス ステップ
→は真空槽にコーティングのための基質を置く;
→ Vacuumize高低の温度の真空槽、および基質を同期的に回すため;
→は塗り始める:基質は前駆物質とそして同時反作用なしで順に連絡される;
→は各反作用の後で高純度窒素のガスとのそれを清浄にする;
フィルム厚さの後で基質を回す→停止は清浄になることの標準的なまで、操作である
冷却は完了したり、そして条件を壊す真空の後で基質を会う取る。
私達の利点
私達は製造業者である。
成長したプロセス。
24就業時間以内の応答。
私達のISOの証明
私達のパテントの部分
私達の賞の部分およびR & Dの資格
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