磁気記録産業におけるマグネトロン スパッタリング成膜
アプリケーション
| アプリケーション | 特定の目的 | 材料の種類 |
| 磁気記録 | 垂直磁気記録膜 | CoCr |
| ハードディスク用フィルム | CoCrTa、CoCrPt、CoCrTaPt | |
|
薄膜磁気ヘッド |
CoTaZr、CoCrZr | |
| 人工結晶膜 | CoPt、CoPd |
動作原理
マグネトロン スパッタリングは、カソード ターゲット表面上に直交 EM フィールドを形成することです。二次以降
電子スパッタで発生した電子は陰極降下領域で高エネルギー電子に加速され、
直接飛ばない陽極に、直角の作用の下でサイクロイドに似ている前後に振動します
EMフィールド。高エネルギー電子は常にガス分子と衝突し、後者にエネルギーを伝達してイオン化します。
低エネルギー電子に。これらの低エネルギー電子は、最終的に磁力線に沿って補助電子にドリフトします。
カソードの近くのアノードと次に吸収され、高エネルギー電子から極性への強い衝撃を回避します。
プレートと損傷を排除衝撃加熱と電子照射による極板への
を反映する二次スパッタリングマグネトロンスパッタリングにおける極板の「低温」特性。
電子の複雑な運動は、イオン化率と存在による高速スパッタリングを実現
磁場の。
特徴
| モデル | MSC-MR-X—X |
| コーティングタイプ | 金属膜、金属酸化物、AlNなどの各種誘電体膜 |
| 塗装温度範囲 | 常温～500℃ |
| コーティング真空チャンバーサイズ | 700mm*750mm*700mm (カスタマイズ可能) |
| バックグラウンド真空 | < 5×10-7mbar |
| コーティングの厚さ | ≧10nm |
| 厚み制御精度 | ≦±3% |
| 最大コーティングサイズ | ≥ 100mm (カスタマイズ可能) |
| 膜厚均一性 | ≦±0.5% |
| 基板キャリア | 遊星回転機構付 |
| 対象物質 | 4×4インチ（4インチ以下対応） |
| 電源 | DC、パルス、RF、IF、バイアスなどの電源はオプションです |
| プロセスガス | Ar、N2、O2 |
| 注: 利用できるカスタマイズされた生産。 | |
コーティングサンプル
プロセスステップ
→コーティング用の基板を真空チャンバーに入れます。
→高温と低温で真空チャンバーを真空にし、基板を同期して回転させます。
→ コーティングの開始: 基板は、同時反応なしで順番に前駆体と接触します。
→各反応後に高純度窒素ガスでパージします。
→ 膜厚が基準に達し、パージと冷却の操作が完了したら、基板の回転を停止します。
真空破壊条件を満たしてから基板を取り出します。
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